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光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管,光伏逆变器SiC MOSFET,国产IGBT Hybrid Discrete...

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BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子,绕过栅极控制回路上的发射极引线电感,从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1,BGH40N120HF特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括:车载充电机(OBC)、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS),以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。

BASiC基本半导体混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关优化的IGBT晶圆以及650VBASiC基本SiC二极管,基本SiC二极管极小Qrr,有效降低对管IGBT开通损耗,且自身反向恢复损耗Erec也明显降低,IGBT开通损耗随温度的影响很小,降低EMI,广泛应用于OBC车载充电器,光伏储能逆变器,充电桩电源模块,移动储能逆变器功率因数校正(PFC)、DC-DC(直流-直流)和DC-AC(直流-交流)等。

BASiC基本半导体碳化硅MOSFET B1M1601... [详细介绍]
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